接触式光刻
接触曝光是指使光掩模与基板直接接触的曝光过程。接触式光刻拥有很好的分辨率，因为掩膜板与光刻胶直接接触，衍射对分辨率损失已降至最低。但是，直接接触会带来缺点-光刻胶膜很容易被掩模损坏，从而可能导致图案错误等。此外，掩模可能会粘在干燥不足的抗蚀剂上，导致掩膜板污染。

接近式光刻
接近光刻类似于接触式，但此处的掩模位于光刻胶上方约10-50mm的距离。因此可以避免光刻胶或掩模的损坏。

投影式光刻
相比于接触或接近光刻将光掩模以1：1的比例投影到光刻胶上不同，对于投影式光刻，使用特定的光学系统按比例缩小掩模图案（例如以4：1或5：1的比例）。用于该目的的光掩模更容易且更便宜地生产，因为这些掩模上的结构元件大几倍。另一个优点是，在光掩模上产生斑点的颗粒仅对产生的结构产生很小的影响，因为这些颗粒也相应地按比例缩小。由于掩模的投影在投影曝光期间不能覆盖整个晶片，因此必须使用极其精确的机构（晶圆步进器）对晶片进行跟踪和对准。

浸没式光刻
浸没式光刻法基本上等同于投影式光刻法，不同之处在于，投影透镜与光刻胶之间的间隙填充有诸如水之类的液体介质而不是空气。与空气相比，液体的更高的折射率增加了成像设备的数值孔径，从而允许生成更小的结构。

灰度光刻
灰度光刻允许制造3D结构。在这种情况下，通过曝光剂量的横向变化以高度特定的方式影响表面结构。可变的曝光剂量可以通过多个曝光步骤来实现，也可以使用在不同区域显示出不同程度的透射率的灰度级光掩模来实现。如果应用了多个曝光步骤，则根据所需的结构，按顺序移动蒙版或使用具有不同灰色阴影的几个二进制模板。此外，可以相应地改变曝光剂量

激光曝光
光刻胶也可以用激光进行曝光。如果所施加的激光波长在光刻胶的感光波段内，则通常可以以cw（连续波）模式进行操作。由于能量密度高，因此可以以很高的速度和精度来写入结构。如果使用超短激光脉冲（fs – ps范围），光致抗蚀剂也可以超出其吸收范围进行处理。这意味着光敏介质对于所施加的激光是高度透明的。但是，如果将以脉冲模式工作的激光束紧紧聚焦，则在激光的焦点处可能会发生多光子吸收事件（主要是双光子吸收），从而导致焦点处发生化学或物理变化，从而导致光刻胶的结构。因此，可以使用不同的感光材料来生成基本上任何3D结构。

X射线光刻
类似于常规光刻，对于X射线光刻，也需要密集且窄带的单色辐射。软X射线辐射的波长范围在10–0.1 nm之间。合适的辐射源是大功率X射线管或同步加速器辐射源。例如BESSY产生的同步加速器辐射的特征在于所发射的辐射的高强度和极高的亮度，因此允许相对快速的曝光。在高景深下，可以实现小于20 nm的非常小的结构。普通光刻利用直接由入射光子诱发的化学反应，而X射线光刻技术中的化学反应则由生成的第二电子（光电子和俄歇电子）引发，并与光刻胶相互作用。掩模的生产在技术上要求很高，因为X射线束无法通过传统透镜聚焦。在LIGA程序的范围内，X射线光刻技术可用于生成具有高纵横比的三维结构，以用于微系统技术。