光刻胶的选型原则得考虑以下几个方面: 1. 结构尺寸:如果是1um以上的结构,主要考虑普通接触式光刻或者激光直写,那么对应就得选择紫外光刻胶;如果是1um以下结构(百纳米),那么就得考虑使用电子束光刻设备和电子束光刻胶。 2. 后续工艺:最常见的后道工艺是刻蚀和lift-off工艺。对于刻蚀,必须考虑光刻胶与被刻蚀材料的选择比,选择对应的厚度的胶,需要注意,光刻胶厚度越厚,分辨率越差;如果是lift-off工艺,需要考虑形成那些便于形成under cut结构的光刻胶;厚度再这里面也是非常重要的参数,同上,厚度越厚也会影响分辨率。 3. 直写时间或制版成本:如果是电子束直写或者激光直写,图形的结构往往决定了用正胶或者负胶,其所需要的时间往往差异很大,我们需要遵循直写时间少的方案进行。 4. 其他:对于特殊应用下的光刻胶选择需要综合考虑。 大家有什么好的光刻胶选择方案,也在下方回复……
很多时候,电子束光刻并不是很容易获得,这个时候我们需要准确判断我们需要的结构尺寸,如果无法获得电子束光刻工具,可以尝试使用纳米压印来部分替代。
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