前烘过程对光刻过程有没有影响,如灵敏度和曝光剂量?
有的,前烘对光刻胶的影响主要体现在以下两个方面:1、没有烘透光的胶会污染掩膜板,残留溶剂会有气泡产生的风险,光刻胶与衬底粘附性差,暗腐蚀更大;2.过烘(烘烤时间过长或者温度过高),光敏物质有可能被破,灵敏度降低,需要的曝光剂量会更高。
You must be logged in to reply to this topic.
Litho+ wiki是一个非盈利网站,主要用于分享光刻及使用光刻胶的基本知识,我们致力于汇集光刻技术及光刻胶使用方面的专业信息,帮助从事相关行业的老师及技术人员能够简单、快速获取相关内容,并为大家创建一个可以分享交流的平台。
我们欢迎更多光刻从业者加入我们,丰富我们的内容,为更多的用户带来新颖的技术手段和使用心得。
您可通过发送邮件到prlibteam@163.com与我们联系,并给我提出您的建议和意见!
您可以通过我们Support子站免费获得以下服务:1.寻找光刻胶产品技术资料,安全信息,应用报告;2.提交您在光刻过程中遇到的工艺问题;3.分享您在光刻工作中的心得和富有创意性的成果!
欢迎您登陆我们的sup.prlib.cn,并给我们提出您宝贵的建议!