管理员的回复

[管理员]

这个好像不是很容易实现，而且没办法保证留下来的光刻胶的浓度为某一确切值，另外，还有可能不均匀，因为表面溶剂先挥发，内部溶剂不容易挥发的。如果要求不严苛，可以倒在小瓶子中，不密封瓶口一段时间，光刻胶应该会略微变浓稠。

[管理员]

这个得看胶的种类，通常光刻胶的玻璃态转变温度也就是110摄氏度左右（PI及部分热稳定性好的胶除外），过高的退火温度会导致光刻胶变形，去胶困难，甚至碳化，这里看具体退火温度和条件了。

[管理员]

曝光时间是确定曝光剂量，厚度会影响曝光剂量的，新的光刻胶厚度需要重新摸索曝光剂量的，这里的二次曝光所指不明，我理解为第二次曝光，这里有可能是图形反转胶的泛曝光，或者是紫外辐照坚膜过程。

[管理员]

光刻显影后的光刻胶结构是需要进行检测后才进入下一道工序的，紫外光刻的结构通常使用光学显微镜（带滤光）观察，纳米级结构只能在电镜下观察，当然需要注意，电镜观察需要破坏样品的，光学显微镜检查后样品可继续使用，需避免污染！

[管理员]

是的，紫外光刻和电子束光刻都有双层剥离的搭配方案，但是两者却有点不同，我们逐一介绍：
1.紫外光刻胶的双层搭配，一般会用到LOR（也叫LOL）胶，这种胶本身是不含光敏物质的，所以对紫外光不敏感，只是单纯的随时间延长溶解于显影液中，上层胶是正常的紫外正胶或者负胶，利用上层胶在显影液中显影出结构后露出下层胶，随着时间的延长，下层胶越来越宽，从而形成undercut结构，并不是两种胶的灵敏度差异或者显影速度差异。
但是需要注意，上层胶的选择需要其显影液与下层胶匹配，另外需要比较严格控制显影时间，否则很容导致结构坍塌；
2.电子束胶的搭配有两种，一种是与紫外胶类似，下层胶选择不含光敏的胶，不同的地方是上层胶用显影液对下层胶无反应，下层胶的显影需要用其自身的显影液（如TMAH显影液），与紫外胶搭配类似，上下层胶显影液应对另一层胶无影响，需要严格控制显影时间；
另一种，是两种不同灵敏度的电子束胶搭配，高灵敏度电子束胶至于底层，一次曝光或者不同区域不同曝光剂量导致显影时形成不同的宽度，这种方案中线宽的差异随时间变化不明显。

[管理员]

我们常见的商业化电子束光刻胶正胶PMMA的溶剂种类有三种，分别为：氯苯（C）、苯甲醚（A）和乳酸乙酯（E），请注意后面括号中的字母是常见区别溶剂种类的标识。氯苯是比较早期的溶剂，苯基醚在我们日常使用中更为常见，两者在使用上并没有太多不同的地方，只是在安全性上苯甲醚会高于氯苯。但是如果我们在实际使用中使用双层胶工艺时如果PMMA在另一种光刻胶上面，如基于DNQ的正胶，苯甲醚的PMMA可能比基于氯苯的PMMA更容易侵蚀(混合)底层。关于乳酸乙酯溶剂，其与前两者的区别是，PMMA在其中的溶解度最低。所以，可以发现乳酸乙酯溶剂的PMMA很少有厚胶产品。同理，在两层PMMA搭配的工艺中，使用乳酸乙酯的PMMA作为上层可以避免涂上层胶是胶中的溶剂对下层PMMA的侵蚀（混合）。

[管理员]

市面上我们常会见到950K，600K，495K，200K以及50K的PMMA，简单说就是相对分子质量越高，灵敏度越低，如何理解呢？
PMMA可以理解为很长的高分子链，高分子链越长越难溶解在显影液中，短分子链的容易溶解在显影液中。在电子束的辐照下发生解链反应，长链分子需要更多的电子束辐照才能打断成短分子链从而被溶解，而短链就更容易被打断。所以高相对分子质量的PMMA灵敏度更低。但是即使是50K的PMMA与950K的PMMA在灵敏度上相差只有15-20%。让然即使是这20%也足以让我们好好利用这种灵敏度的差异进行搭配做出undercut结构以及T-gate应用等。

[管理员]

1N碱当量浓度是指：1mol/L的OH-离子浓度。所以不难通过TMAH的相对分子质量计算获得，下面我们以最常使用的0.26N当量的TMAH（相对分子质量91.15）为例：

质量浓度（m）% = 100X（91.15X0.26N）/(1LX 1000)=2.37%

也就我们常说的2.38%的质量百分比浓度，为什么有点差异呢？因为，溶解了TMAH的溶液密度略微大于1g/l，而我们还是按照1来计算的。所以略有出入。

[管理员]

这是电子束光刻很常见的问题：
①我们市面上常见的成套电子束光刻系统的加速电压一般为100KV、50KV还有125kV几种，基于电镜+图形发生器的电子束曝光加速电压一般为30KV、20KV等，所以我们在看参考剂量时一定要注意资料中所使用的加速电压和我们实际使用的系统加速电压是多少？
②上述实例中，推荐剂量是在30KV 下的，如果咱们是100KV的系统，建议摸索的参考剂量是30KV下的3倍以上，所以建议增加剂量摸索；
③为什么加速电压越高，剂量反而越高呢？因为，电子束曝光时起到使光刻胶解链或者交联的电子只有一小部分是来自于入射电子束，绝大部分是电子与物质作用产生的散射电子等（即前散射和背散射）。所以，加速电压越高，实际上绝大部分电子都直接穿透光刻胶进入衬底了，而使得光刻胶曝光电子反而更少，所以加速电压越高所需要的剂量也越高；
④那么为什么高电压系统常见于更高端的电子束曝光系统？这是因为，加速电压约高，电子束波长越小，分辨率越高；加速电压越大，前散射的夹角也越小，有利于曝光出小结构；至于曝光剂量大带来的速度问题，可以用更高端的机械结构设计和一些先进的曝光方式（FBMS技术）来弥补。

[管理员]

如果是偶然发现漂胶，可以从以下角度分析出问题的原因在什么地方？
1. 检查是否是更换某种衬底后或者某种光刻胶后才出现的？如果是，则说明是由于这种光刻胶与当前衬底粘附性不够导致的，建议使用增附剂改善；
2. 检查空气湿度有没有变化，一般来说，正常的空气湿度约为30-50%如果空气湿度过大，光刻胶的粘附性会有较大的影响，当空气湿度大于70%时，不再适合做光刻了；
3. 检查衬底有没有水汽，建议在涂胶前将衬底在150℃下烘烤3min出去水汽

[管理员]

很多时候，电子束光刻并不是很容易获得，这个时候我们需要准确判断我们需要的结构尺寸，如果无法获得电子束光刻工具，可以尝试使用纳米压印来部分替代。

[管理员]

中国目前也要一些单位在研发相关电子束光刻成套系统以及图形发生器，预计在未来几年内，我们就可以看到我们国产的电子束光刻系统了