概述
众所周知，光刻胶按照最简单的分类方式可以分为正胶或者负胶，本文就介绍一下紫外光刻胶中的正胶和负胶。首先我们来看一下什么是光刻胶的定义和什么是正胶和负胶。
光刻胶（Resist）：是指一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料。又称为光阻、抗蚀剂等。这里的光可以是UV波段的i-line（365nm）、g-line（436nm）DUV、EUV也可以是电子束（E-beam）、X-ray、离子束甚至是同步辐射光源等。
正胶：从光敏化学反应解释是，聚合物的长链分子因光照而解链成为短链分子的为正型光刻胶（chain secession）。从图形上来说，光照区域被显影掉，其他未被光照的区域光刻胶留下的为正胶（positive photoresist）。
负胶：聚合物的短链分子因光照而交联成为长链分子的为负胶（cross linking）。或者说，光刻过程中被的光照的区域在显影过程中留下来，未被光照区域的光刻胶被显影液腐蚀的光刻胶称之为负胶（negative photoresist），如图1所示。
光刻胶的都是经过特殊设计合成以适应某一种特殊应用的需求，光刻胶通常有4个基本成分组成：
- 树脂型聚合物（resin）： 是光刻胶膜的主体，它使光刻胶具有抗刻蚀性能；
- 溶剂（solvent）： 使树脂型聚合物保持液体状态以利于涂覆；
- 光活性物质（photoactive compound，PAC）： 控制树脂型聚合物对某一特定不长的感光度；
- 添加剂（additives）：用于控制胶的光吸收或者溶解度。
对于电路图形，既可以使用正胶也可以使用负胶来实现，只需要搭配不同的掩模即可。图1中，我们可以看出相同的图形，我们可以使用正胶加暗场掩模或负胶加亮场掩模来实现。那么我们在制版和光刻胶的选择中怎样选择合适的方案呢？接下来我们介绍一下两者的一般性能对比
性能对比
总结起来，正胶有一下主要优点：①高分辨率，高对比度；②使用暗场掩模减少了曝光图形的缺陷率，因为掩模大部分区域都是不透光的。③使用水溶性显影液；④去胶容易。
光刻胶的选择
光刻胶的选择是一个需要综合考量的问题，一般我们需要考虑：
- 掩模板制作成本：光刻胶的选择通常与我们设计的图形密切相关，其目的是掩膜板的制作成本更小；
- 工艺匹配度：一般来说紫外负胶更容易获得undercut结构，适用于lift-off工艺，电子束光刻中正胶更容易获得undercut结构；
- 光刻胶成本：使用中，光刻胶的使用成本也是我们选择光刻胶的重要因素之一。
本节内容来自于崔铮《微纳米加工技术及其应用》
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