概述
AZ® nLOF™ 2000 是一种来自默克的 PGMEA 溶剂型光刻胶。它比 HSQ 更敏感，并且具有非常好的热稳定性。nLOF 是一种对电子束也很敏感的光刻胶，并且由于它是一种化学放大的光刻胶，因此需要进行曝光后烘烤。有关详细信息，请参阅流程页面。具有良好的干法刻蚀选择性，是SiO2等离子刻蚀的良好选择比。对于光刻，我们得到 1.3µm 级的 nLOF，这对于大多数电子束光刻应用来说太厚了，因此我们用 PGMEA 将其 1:1 稀释后使用。
特点
高灵敏度：典型的大面积结构曝光剂量在40uc/cm2左右，对于小特征结构将需要大约140-200µC/cm2。剂量对曝光前和曝光后的烘烤温度极为敏感。
分辨率：它的分辨率有限，我们目前能达到的最好分辨率是70nm左右。
稳定性：这种光刻胶曝光后稳定性较高，它不会很好地溶解在去除剂中，因此对于剥离，我们建议使用去除剂和氧等离子体。
一般工艺参数
在处理之前从 nLOF 架子上选择烧杯。用少量显影剂 (AZ726 MIF) 冲洗。
| 步骤 | 描述 | 工艺参数 |
| 1 | 预处理 – 增附 | 5 分钟高功率氧等离子体清洗，或食人鱼浴，然后氧等离子体/5 分钟脱水烘烤 |
| 2 | 衬底冷却 | 1min |
| 3 | nLOF涂胶 | 见旋涂曲线 |
| 4 | 前烘 | 115°C 加热板上 1 分 45 秒 |
| 5 | 衬底冷却 | 1min |
| 6 | 曝光 | 电子束曝光，剂量在 40 和 200µC/cm2 之间 |
| 7 | 曝光后烘烤 | 在 115°C 的热板上 1 分钟 |
| 8 | 显影 | 30” 在水/基湿法台上进行显影，显影液 AZ726 MIF |
| 9 | 衬底冲洗干燥 | 用去离子水冲洗并用氮气干燥 |
当您将空烧杯放入废水中后，用水冲洗烧杯并将其放入 nLOF 回收托盘（位于水/底座湿工作台上）。
如果抗蚀剂膜厚度和交联度不太高， NMP或无毒替代品DMSO等溶剂是合适的去胶剂。通常，在非常厚或强交联的情况下，可能需要将这些去除剂加热至 60 – 80°C 或/和超声波处理以加快光刻胶的去除。
旋涂曲线
注意：AZ nLOF 2000系列光刻胶对紫外和电子束感光，因此这款胶可以做混合光刻，在电子束曝光中需要在黄光下使用。
本文整理自网络：https://www.epfl.ch/research/facilities/cmi/equipment/ebeam-lithography/raith-ebpg5000/ebeam-resists-available-in-cmi/nlof-resist/
如果您对上述技术兴趣的话，欢迎与我沟通交流。 如果您想了解更多光刻及光刻胶知识库，欢迎关注Litho+wiki，获取更多信息……
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