nLOF用于电子束负胶

概述

AZ® nLOF™ 2000 是一种来自默克的 PGMEA 溶剂型光刻胶。它比 HSQ 更敏感,并且具有非常好的热稳定性。nLOF 是一种对电子束也很敏感的光刻胶,并且由于它是一种化学放大的光刻胶,因此需要进行曝光后烘烤。有关详细信息,请参阅流程页面。具有良好的干法刻蚀选择性,是SiO2等离子刻蚀的良好选择比。对于光刻,我们得到 1.3µm 级的 nLOF,这对于大多数电子束光刻应用来说太厚了,因此我们用 PGMEA 将其 1:1 稀释后使用。

特点

高灵敏度:典型的大面积结构曝光剂量在40uc/cm2左右,对于小特征结构将需要大约140-200µC/cm2。剂量对曝光前和曝光后的烘烤温度极为敏感。

分辨率:它的分辨率有限,我们目前能达到的最好分辨率是70nm左右。

稳定性:这种光刻胶曝光后稳定性较高,它不会很好地溶解在去除剂中,因此对于剥离,我们建议使用去除剂和氧等离子体。

一般工艺参数

在处理之前从 nLOF 架子上选择烧杯。用少量显影剂 (AZ726 MIF) 冲洗。

步骤描述工艺参数
1预处理 – 增附5 分钟高功率氧等离子体清洗,或食人鱼浴,然后氧等离子体/5 分钟脱水烘烤
2衬底冷却1min
3nLOF涂胶见旋涂曲线
4前烘115°C 加热板上 1 分 45 秒
5衬底冷却1min
6曝光电子束曝光,剂量在 40 和 200µC/cm2 之间
7曝光后烘烤在 115°C 的热板上 1 分钟
8显影30” 在水/基湿法台上进行显影,显影液 AZ726 MIF
9衬底冲洗干燥用去离子水冲洗并用氮气干燥

当您将空烧杯放入废水中后,用水冲洗烧杯并将其放入 nLOF 回收托盘(位于水/底座湿工作台上)。

如果抗蚀剂膜厚度和交联度不太高, NMP或无毒替代品DMSO等溶剂是合适的去胶剂。通常,在非常厚或强交联的情况下,可能需要将这些去除剂加热至 60 – 80°C 或/和超声波处理以加快光刻胶的去除。

旋涂曲线

图1 AZnLOF 2000 1:1稀释后旋涂曲线

注意:AZ nLOF 2000系列光刻胶对紫外和电子束感光,因此这款胶可以做混合光刻,在电子束曝光中需要在黄光下使用。

本文整理自网络:https://www.epfl.ch/research/facilities/cmi/equipment/ebeam-lithography/raith-ebpg5000/ebeam-resists-available-in-cmi/nlof-resist/
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