HF刻蚀后的衬底
经过氢氟酸蚀刻SiO2后，光刻胶与衬底的粘附性很大程度上取决于衬底上的氧化物是否被完全去除，如果被完全去除的Si衬底表面在一段时间内表现出很好的光刻胶附着性能。
如果氧化物在刻蚀未被完全去除，残留的氧化物具有高度亲水表面，表现为很差的光刻胶粘附性，只能通过继续HF刻蚀，完全去除氧化物或高温烘烤(约700°C)才能恢复。
金属表面
铝、铬、特别是钛等普通金属表面对光刻胶具有较好的粘附性。
对于不容易形成自然氧化物的贵金属，如金或铂，有机增附剂的增附效果一般不是很理想，因为增附剂不能以化学键的方式与表面结合。可以在涂胶前镀上10~20nm的金属钛或者铬膜可以增强光刻胶与衬底的粘附性。
在水溶液中，双面金属化的衬底(如正面或背面的Ag和Al)形成原电池模型。在一面可能会形成氢气释放，其结果会将上层的光刻胶层掀起剥离。在这种情况下，为了防止金属与液体(=电解液)中的电荷交换，必须在衬底的另一边面涂上保护胶避免金属膜与液体的接触。
如果您在做光刻工艺时对增加衬底粘附性有任何心得，欢迎您在文章下方留言与我们分享。 了解更多光刻及光刻胶知识库，欢迎关注Litho+wiki，获取更多信息……
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