常用材料湿法刻蚀方案

在微纳米加工技术中,湿法刻蚀也是一种重要的图形转移方式,其特点是选择性好、重复性高、效率高、设备简单、成本低廉,缺点则是对图形转移的控制性较差、难以适应纳米级图形的加工、产生化学废液等。

本文总结了一些常见材料的湿法刻蚀方案和刻蚀液配比,希望能够为需要或者正在使用湿法刻蚀方案的研究者提供思路,本文内容来自网络整理,不能替代操作手册。且刻蚀方案中往往会用到酸和碱液,请查阅相关文献,且获得每一种试剂的安全物料资料并仔细阅读,另外,请务必遵守实验室操作规范和当地环保要求后方可进行实验

金属材料湿法刻蚀

铝 – Aluminum

序号
Item
浓度
Concentrations
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1H2O : HF
21 : 1 : 1HCl : HNO3 : H2O
3dilute or concentratedHCl
4H3PO4 : HNO3 : HAc
519 : 1 : 1 : 2H3PO4 : HAc : HNO3 : H2O40
63 : 1 : 3 : 1H3PO4 : HAc : HNO3 : H2O8.7 @ >RT@40℃ <4min/micron
74 : 4 : 1 : 1H3PO4 : HAc : HNO3 : H2O5.6
815 : 0 : 1 : 1-4H3PO4 : HAc : HNO3 : H2O150040℃
98 : 1 : 1H3PO4 : H2O2 : H2O100@35℃
103 : 1 : 5H3PO4 : H2O : glycerin
1183 : 5.5 : 5.5H3PO4 85% + CH 3COOH 100% + HNO3 70%50 35℃
1269 : 131HClO4 : HacPR
134 : 1 : 5HCl : FeCl3 : H2O
14FeCl3 : H2O100F
1510%K3Fe(CN)6100
16KOH : K3Fe(CN)6: K 2B4O7.4H2O
172 : 3 : 12KMnO4 : NaOH : H2O
181 : 1 : 3NH4OH : H2O2 : H2O
1920%NH4SO4
20dilute or concetratedNaOH
218-10%KOH
22CCl4boiling
2310%Br2 : MeOHwarm

铬 – Chromium

序号
Item
浓度
Concentrations
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
12 : 3 : 12KMnO4 : NaOH : H2O
23 : 1H2O : H2O2
3concentrated and diluteHCl
43 : 1HCl : H2O2
52 : 1FeCl : HCl
6Cyantek CR-7s (Perchloric based)7 min/micron (24A/s new)
7TechniEtch Cr01
(NH4)2Ce(NO3)6 + HClO4
65nm/minRoom tempPR
860 g/l + 200 g/lKMnO4 + Na3PO424nm/minRoom tempPR,Cr
selective on Cu
91 : 1HCl : glycerine12min/micron after depassivation
101 : 3[50gNaOH+100mlH2O] : [30g K3Fe(CN)6+100mlH2O]1hr/micron

金 – Gold

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
13 : 1Aqua Regia HCl : HNO310-15microns/min RT, 25-50 microns/min35℃
23 : 10-20%Chrome Regia HCl : CrO3
3H2SeO4etch is slowTemp should be hot
4KCN in H2Ogood for stripping gold from alumina, quartz, sapphire substrates, semiconductor wafers and metal parts
525 g/l + 12 g/lTechniEtch ACI2
KI + I2
60nm/minRoom tempPR
64g : 2g : 10mlKI : I2 : H2O280nm/minHot (70℃)
71 : 2 : 3HF : HAc : HNO3
830 : 30 : 50 : 0.6HF : HNO3 : HAc : Br2
9NaCN : H2O2
107g : 25g : 100mlKI : Br2 : H2O
119g : 1g : 50mlKBr : Br2 : H2O800nm/min
129g : 1g : 50mlNaBr : Br2 : H2O400nm/min
13400g : 100g : 400mlI2 : KI : H2O1270A/sec55℃
141 : 2 : 10I2 : KI : H2O
154g : 1g : 40mlAu mask etch KI : I2 : H2O1min/micron

铜 – Copper

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1FeCl3 saturated solution
220%KCN
31 : 5H2O : HNO3
4concentrated and diluteHNO3
51 : 1NH4OH : H2O2
61 : 20HNO3 : H2O2
74 : 1NH3 : H2O2
81 : 1 : 1H3PO4 : HNO3 : HAc
95ml : 5ml : 4g : 1 : 90mlHNO3 : H2SO4 : CrO3 : NH4Cl : H2O
1060 g/l + 10 ml/l(NH4)2S2O8 + H2SO4 96%200nm/minRoom tempPR
114 : 1 : 5HCL : FeCl3 : H2O

镍 – Nickel

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1 : 1 : 1HNO3 : HAc : Acetone
21 : 1HF : HNO3
330%FeCl3
43 : 1 : 5 : 1HNO3 : H2SO4 : HAc : H2O10 microns/min85℃
53 : 7HNO3 : H2O
61 : 1HNO3 : HAc
710% g/mlCe(NH4)2(NO3)6 : H2O
8concentratedHFslow etchant
9H3PO4slow etchant
10HNO3rapid etchant
11HF : HNO3etch rate determined by ratio, the greater the amount of HF the slower the reaction
124 : 1HCl : HNO3increase HNO3 concentration increases etch rate
1330%FeCl3
145g : 1ml : 150ml2NH4NO3.Ce(NO3)3.4(H2O) : HNO3 : H2Odecreasing HNO3 amount increases the etch rate.
1591 g/l + 7.3 g/l(NH4)2S2O8 + FeCl3100
Etches Au ~15nm/min
Room tempPR
163 : 3 : 1 : 1H3PO4 : HNO3 : CH3COOH : H2O~15min/micronRT with air exposure every 15 seconds

钛 – Titanium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
150 : 1 : 1H2O : HF : HNO3
220 : 1 : 1H2O : HF : H2O2
3RCA-1 5 : 1 : 1H2O : 27% NH4OH : 30% H2O2~100 min/micron
4x%Br2 : ethyl acetateHot
5x%I2 : MeOH Hot
6HF : CuSO4
71 : 2NH4OH : H2O2
81 : 4 : 5HF : HNO3 : H2O18 microns/min
91 : 2 : 7, 1 : 5 : 4, 1 : 1 : 50HF : HNO3 : H2O
10any concentrationCOOHCOOH : H2O
111 : 1 : 20HF : H2O2 : HNO3
121 : 9HF : H2O12 A/min
131 : 50HF(49%):H2O1000nm/min20℃PR
14HF : HCL : H2O
15concHCL
16conc%KOH
17conc%NaOH
1820%H2SO41 micron/min
19CCl3COOC2H5
2025%HCOOH
2120%H3PO4
22HF

银 – Silver

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1NH4OH : H2O2
23 : 3 : 23 : 1H3PO4 : HNO3 : CH3COOH : H2O~10min/100A
31 : 1 : 4NH4OH : H2O2 : CH3OH.36micron/min resist
41 : 1 : 1HCl : HNO3 : H2O
51-8 : 1HNO3 : H2O
61 MHNO3 + light

钨 – Tungsten

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HF : HNO3thin films
23 : 7HF : HNO3
34 : 1HF : HNO3rapid attack
41 : 2NH4OH : H2O2thin films good for etching tungsten from stainless steel, glass, copper and ceramics. Will etch titanium as well.
5305g : 44.5g : 1000mlK3Fe(CN)6 : NaOH : H2Orapid etch
6HClslow etch (dilute or concentrated)
7HNO3very slow etch (dilute or concentrated)
8H2SO4slow etch (dilute or concentrated)
9HFslow etch (dilute or concentrated)
10H2O2
111 : 2NH4OH : H2O2
124 : 4 : 3HF : HNO3 : HAc
13CBrF3 RIE etch
14305g : 44.5g : 1000mlK3Fe(CN)6 : NaOH : H2Overy rapid etch
153 : 1HCL : HNO3 (Aqua Regia)slow attackwhen hot or warm
16Alkali with oxidizers (KNO3 and PbO2)rapid etch

铂 – Platinum

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
13 : 1HCl : HNO3 (Aqua Regia)Hot
2Molten Sulfur

铟 – Indium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
13 : 1Aqua Regia HCl : HNO3hot
2HClfastboiling
3IPAhot
4EOHhot
5MeOHhot

钯 – Palladium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
13 : 1HCl : HNO3 (Aqua Regia)Hot

钴 – Cobalt

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1H2O : HNO3
23 : 1HCl : H2O2

锑 – Antimony

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11:1:1HCl : HNO3 : H2O
290:10:1H2O : HNO3 : HF
33:3:1:1H3PO4 : HNO3 : CH3COOH : H2O3min/1000A50C

铋 – Bismuth

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
110:1H2O : HCl

黄铜 – Brass

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1FeCl3
220%NHSO5

青铜 – Bronze

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11%CrO3

碳 – Carbon

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1H3PO4 : CrO3 : NaCN
250%KOH (or NaOH)boiling
3concentratedHNO3
4concentratedH2SO4
53:1H2SO4 : H2O2

锗 – Germanium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1HF : HNO3 : H2O
21 : 1 : 1HF : HNO3 : HAc
37 : 1 :HF : HNO3 : glycerin35℃ 75-100 um/h,100℃ 775 um/h
4pH > 6KF
51 : 25NH 3 OH : H 2 O 21000angstrom/min

铪 – Hafnium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
120 : 1 : 1H2O : HF : H2O2

铱 – Iridium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
13 : 1Aqua Regia HCl : HNO3hot

铁 – Iron

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1H2O : HCL
21 : 1H2O : HNO3
31 : 2 : 10I2 : KI : H2O

铅 – Lead

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HAc : H2O2

镁 – Magnesium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
110ml : 1gH2O : NaOHfollowed by
25ml : 1gH2O : CrO3

钼 – Molybendum

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HCl : H2O2
220:4:1H3PO4 85% :CH3COOH 100% : HNO3 70%125nm/minRoom tempPR

铌 – Niobium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HF : HNO3

钽 – Tantalum

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HF : HNO3

不锈钢 – Stainless Steel

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HF : HNO3

锡 – Tin

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HF : HCL
21 : 1HF : HNO3
31 : 1HF : H2O
42 : 7HClO4 : HAc

钒 – Vanadium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1H2O : HNO3
21 : 1HF : HNO3

锌 – Zinc

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HCl : H2O
21 : 1HNO3 : H2O

锆 – Zirconium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
150 : 1 : 1H2O : HF : HNO3
220 : 1 : 1H2O : HF : H2O2

铼、铑和钌 – Rhenium, Rhodium, and Ruthenium

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
13 : 1HCl : HNO3 (Aqua Regia)hot

非金属材料湿法刻蚀

硅 – Sillicon

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
164:3:33HNO3 : NH4F : H2O100 angstroms/s
261:11:28ethylenediamine : C6H4(OH)2 : H2O78 angstroms/s
3108ml : 350g : 1000mlHF : NH4F : H2Oslow – 0.5 angstroms/min
41:1:50HF : HNO3 : H2Oslow etch
5KCl dissolved in H2O
6KOH : H2O : Br2/I2
7KOHsee section on KOH etching
840% or dilutedKOHFrom 300 to 2’000 Depending on concentration and temperature.60℃-90℃Si3N4
91 : 1 : 1.4 : 0.15% : 0.24%HF : HNO3 : HAc : I2 : triton
101:6:3HF : HNO3 : HAc
11and 0.19 g NaI per 100 ml solution
121:4Iodine Etch : HAc
130.010 NNaI
14NaOH
15HF : HNO3
161:1:1HF : HNO3 : H2O

非晶硅 – aSi, PolySi

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
150:3:20HNO3(70%):HF(49%):H2O730nm/min20℃

氧化硅/石英/玻璃 – Silicon Dioxide / Quartz / Glass

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1BOE 1 : 5 : 5HF : NH4HF : H2O20 angstroms/sec
2HF : HNO3
33:2:60HF : HNO3 : H2O2.5 angstroms/secRoom Temp
4BHF 1 : 10, 1 : 100, 1 : 20HF : NH4F(sat)
53ml : 15g : 22mlHF : NH4F : H2O
6Secco etch 2 : 1HF : 1.5M K2Cr2O7
75:1NH4.HF : NaF/L (in grams)
84:4:2Silox (Pad Etch) NH4F 40% : CH3COOH 100% : H 2O40 (WetOx)nm/min 240 (LTO)nm/minRoom TempPR
91g : 1ml : 10ml : 10mlNH4F.HF : HF : H2O : glycerin
10HFHot
11HF(49%)SiO2: 1500nm/min Si3N4: 12nm/min SixNy: 4nm/min20℃
121 : 1, 1 : 15, 1 : 100HF : H2O
135 : 43, 1 : 6HF : NH4F(40%)
147:1 BHF NH4F 40% : HF 50%27 (Borofloat)nm/min
77 (WetOx)nm/min
86 (DryOx)nm/min
80 (Fused Silica)nm/min
250-300 (LAB HRI)nm/min
225 (LTO no densification)nm/min
120 (LTO with densification)nm/min
262 (TEOS no densification)nm/min
470 (PSG)nm/min 250 (SiO2 Spider)nm/min 70 Al2O3 (ALD)nm/min
Room tempPR
157:1 BHF NH4F 40% : HF 50%35nm/min 70nm/minRoom temp 30℃ – PyrexCr/PR
161:4Diluted HF HF 49% : H2O198nm/mim
395nm/min
520nm/min
Room temp – Pyrex
34℃
40℃
Cr/PR
17NaCO3296 microns/h100℃
185%NaOH3.8 mm/h100℃
195%HCl12.7 microns/day95℃
20KOHsee KOH etching of silicon dioxide

氮化硅 – Silicon Nitride

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 60 or 1 : 20HF : H2O1000-2000 A/min
2BHF 1 : 2 : 2HF : NH4F : H2Oslow attack – but faster for silicon oxynitride
31 : 5 or 1 : 9HF : NH4F (40%)0.01-0.02 microns/second
43 : 25HF : NH4F.HF(sat)
550ml : 50g : 100ml : 50mlHF : NH4F.HF : H2O : glyceringlycerin provides more uniform removal
6BOEHF : NH4F : H2O
718g : 5g : 100mlNaOH : KHC8H4O4 : H2O160 A/min, better with silicon oxynitrideboiling
89g : 25mlNaOH : H2O160A/minboiling
918g : 5g : 100mlNaOH : (NH4)2S2O8 : H2O160 A/minboiling
10
11A) 5g : 100mlNH4F.HF : H2O;
12B)1g : 50ml : 50mlI2 : H2O : glycerin180 A/minRT – mix A and B 1 : 1 when ready to use.

氧化锌 – Zinc Oxide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11:60HCl : H2O1.9 microns/min
21:200HCl : H2O0.9 microns/min
31:500HCl : H2O0.4 microns/min
41:900HCl : H2O0.2 microns/min
51:100HNO3 : H2O0.9 microns/min
61:7BOE.06 microns/min
71:7BOE.06 microns/min
81:1:30H3PO4 : C6H8O7 : H2O2.2 microns/min
91:5:60H3PO4 : C6H8O7 : H2O1.8 microns/min
101:1:80H3PO4 : C6H8O7 : H2O1.4 microns/min
111:1:150H3PO4 : C6H8O7 : H2O1 micron/min
121:1:200H3PO4 : C6H8O7 : H2O0.8 microns/min
131:2:300H3PO4 : C6H8O7 : H2O0.65 microns/min

砷化铝镓 – Aluminum Gallium Arsenide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1 : 30H2SO4 : H2O260 angstroms/sec
28 : 3 : 400NH3 : H2O2 : H2O25 angstroms/sec
31 : 1 : 10HF : H2O2 : H2O80 angstroms/sec

氧化铝/蓝宝石 – Aluminum Trioxide / Alumina / Sapphire

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1 : 3NH4OH : H2O2 : H2O80℃
210%Br2 : MeOH
37ml : 4gH3PO : Cr2O3
4H3PO4 85%72 (ALD)
120 (Spider)
60℃
60℃
PR
57:1BHF NH4F 40% : HF 50%70 (ALD)Room tempPR

砷化铟镓 – Indium Gallium Arsenide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1 : 20H2SO4 : H2O2 : H2O30 angstroms/sec

磷化铟镓 – Indium Gallium Phosphide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1concentratedHClfast

磷化铟 – Indium Phosphide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HCl : H3PO4fast

磷化铟氧化物 – Indium Phosphide Oxide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1NH4OH

氧化锡铟 – Indium Tin Oxide

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
11 : 1HCl : H2O8 angstroms/sec
21 : 1 : 10HF : H2O2 : H2O125 angstroms/sec

有机/聚合物材料湿法腐蚀

光刻胶 – Photoresist

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
1Acetone
25 : 1NH4OH : H2O2120℃
35 : 1H2SO4 : H2O2
4H2SO4 : (NH4)2S2O8

聚合物 – Poylmer

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
15 : 1NH4OH : H2O2120℃
25:1:1RCA1
H2O : NH4OH 28% : H2O2 30%
N/A
Stripping/cleaning mixture
Room temp
33 : 1H2SO4 : H2O2
41 : 1HF : H2O
51 : 1HF : HNO3
61 : 1Sodium Carbonateboiling
73:1Piranha
H2SO4 96% : H2O2 30%
N/A
Stripping/cleaning mixture
Al, Ti, Cr, Cu, Ni, Ag are affected
Room temp but self-heating to >70°C
8concHF

环氧树脂 – Epoxies

序号
Item
蚀刻剂
Etchants
蚀刻剂
Etchants
速率(埃/秒)
Rate (angstroms/sec)
温度/其他
Temperature/Other
掩膜
Mask
15 : 1NH4OH : H2O2120℃
2Gold Epoxy
33 : 1 : 10HNO3 : HCl : H2O
4Silver Epoxy
51 : 3HF : HNO3
6Aluminum Epoxy
7H2SO4hot
8SU8 cured
93 : 1H2SO4 : H2O2hot

本文资料整理自以下网站:

  1. https://cleanroom.byu.edu/wet_etch
  2. https://www.epfl.ch/research/facilities/cmi/

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