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lift-off工艺中“毛刺”的产生和改善措施

如果在沉积过程中，光刻胶侧壁已被金属薄膜覆盖，则剥离只能发生在有限的区域内有效，此时剥离介质设法穿透 […]

“边胶”的形成原因和带来的不利影响光刻胶旋涂是特别是厚胶的旋涂和方形衬底匀胶时，会在衬底的边缘形成 […]

在使用光刻胶时，我们往往会遇到气泡的问题，而且气泡的存在往往会直接影响光刻质量，因此我们需要搞清楚气 […]

光刻胶润湿性润湿性/粘附性差的衬底(在贵金属或未充分清洁的基材上，在用HF-dip处理的二氧化硅基 […]

存储时间正胶和图形反转胶在存储数月后会变暗，而且随着储存温度升高而加速。因为该类型光刻胶含有的光活 […]

我们知道半导体工业的发展有一个很有名的“摩尔定律”，而保证半导体工业遵循“摩尔定律”发展的基石是光刻 […]

在做光刻工艺时，我们有时候需要通过光刻胶的折射率参数配合反射式膜厚仪获得光刻胶的胶厚（参见旋涂曲线） […]

当我们使用电子束光刻做pattern时，有时候会发现在一些特殊情况下，无法获得完美的图形（图形变形、 […]

旋涂曲线是光刻胶重要参数之一，他给我们选择光刻胶提供了重要的指导意义。所以我们来介绍一下什么是旋涂曲 […]

2020 年 10 月 20-22 日江苏南京光电子与微电子技术是支撑通信网络、高性能计算、智能 […]